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深圳市明佳達電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

NV6127

產(chǎn)品說明：650 V GaNFast? 電源 IC

封裝：QFN
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NV6128

產(chǎn)品說明：650 V GaNFast? 電源 IC

封裝：QFN
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3411R070RWHR
TI

產(chǎn)品說明：具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護功能的 600V 70m? GaN

封裝：VQFN32
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3410R150RWHR
TI

產(chǎn)品說明：具有集成驅(qū)動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN

封裝：VQFN32
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3411R150RWHR
TI

產(chǎn)品說明：具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護功能的 600V 150mΩ GaN

封裝：VQFN32
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3422R050RQZR
TI

產(chǎn)品說明：具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的 600V 50m? GaN FET

封裝：VQFN54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3425R030RQZR
TI

產(chǎn)品說明：具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET

封裝：VQFN54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LMG3422R030RQZR
TI

產(chǎn)品說明：具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的 600V 30m? GaN FET

封裝：VQFN54
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7WB11BPSA1

產(chǎn)品說明：1200 V、900 A 雙 IGBT 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7WB11

產(chǎn)品說明：1200 V、900 A 雙 IGBT 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7B11NPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場截止 2 個獨立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD-3

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF900R12ME7B11

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場截止 2 個獨立式 1200 V 900 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONOD-3

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場截止 三級反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安裝 AG-EASY3B

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS3L200R10W3S7FB11

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場截止 三級反相器 950 V 70 A 20 mW 底座安裝 AG-EASY3B

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L400R10W3S7B11BPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝道 - 950 V 底座安裝 模塊

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L600R10W4S7FC22BPSA1

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場截止 三級反相器 950 V 310 A 20 mW 底座安裝

封裝：MODULE
10起
100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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