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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

TJA1145T
NXP

產(chǎn)品說(shuō)明：局部聯(lián)網(wǎng)的高速CAN收發(fā)器

封裝：SO14
10起
7500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TPS628501QDRLRQ1
TI

產(chǎn)品說(shuō)明：采用 SOT-5X3-8 封裝的汽車級(jí) 2.7V 至 6V、1A 降壓轉(zhuǎn)換器

封裝：SOT-5X3-8
10起
4000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
LB11600JV-TLM-E
ON

產(chǎn)品說(shuō)明：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 PWM 4.5V-14V 30-SSOP

封裝：SSOP-30
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
PAFSC5G35E37R9
NXP

產(chǎn)品說(shuō)明：5G/LTE 功率放大器模塊，專為 5G 和 LTE 通信設(shè)備設(shè)計(jì)

封裝：HLQFN-26
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
TJA1043T
NXP

產(chǎn)品說(shuō)明：具備待機(jī)和睡眠模式的高速CAN收發(fā)器

封裝：SOP-14
10起
40000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGHU30M65DF2AG
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT

封裝：HU3PAK-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60V60DF
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：600 V、60 A超高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA60H65DFB
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、60 A高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGWA40M120DF3
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW8M120DF3
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H65DFB
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V、40 A高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW40H120DF2
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V、40 A高速溝槽柵場(chǎng)截止H系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30V60DF
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：600 V、30 A超高速溝槽柵場(chǎng)截止V系列IGBT

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW10M65DF2
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：溝槽柵場(chǎng)截止IGBT晶體管，M系列，650 V、10 A，低損耗

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STGW30NC120HD
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 單管

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32G051G8U3
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：主流型ARM? Cortex?-M0+ STM32C0 微控制器

封裝：28-UFQFPN
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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