商品名稱(chēng):NVMFS5C460NLAFT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMFS5C460NLAFT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVMFS5C460NLAFT1G提供 N 溝道和 P 溝道版本的 MOSFET,利用其先進(jìn)的 Power Trench? 工藝,該工藝經(jīng)優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了低 RDS(ON) 開(kāi)關(guān)性能和堅(jiān)固性。這些 PowerTrench? MOSFET 可滿(mǎn)足幾乎任何應(yīng)用的需要。onsemi / Fairchild 擴(kuò)展了 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品線,以提供不同的漏極至源極電壓、漏極電流和 RDS(ON)。這一擴(kuò)展包括用于低 RDS(ON) 和高效率的先進(jìn)封裝和硅組合、熱效率封裝以及下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Ta),78A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.5 毫歐 @ 35A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):23 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):3.6W(Ta),50W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
應(yīng)用
● 負(fù)載開(kāi)關(guān)
● 主交換機(jī)
● 移動(dòng)計(jì)算
● 直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 同步整流器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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