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NXH003P120M3F2PTHG是一款電源模塊，包含3 mOhm/1200 V SiC MOSFET半橋和HPS DBC熱敏電阻，采用F2封裝。SiC MOSFET開關(guān)采用M3S技術(shù)，并通過18V-20V柵極驅(qū)動進行驅(qū)動。

規(guī)格

技術(shù)：碳化硅（SiC）

配置：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：350A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 200A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 160mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：1195nC @ 20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：20889pF @ 800V

功率 - 最大值：979W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：36-PIM (56.7x62.8)

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