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STGF4M65DF2 650V IGBT是采用先進(jìn)的專有溝槽柵極場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)的IGBT。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：16 A

不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A

功率 - 最大值：23 W

開關(guān)能量：40μJ（開），136μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：15.2 nC

25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：12ns/86ns

測試條件：400V，4A，47 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：133 ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 整包

供應(yīng)商器件封裝：TO-220FP

基本產(chǎn)品編號：STGF4

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