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AIMZH120R030M1T車用1200V G1 SiC溝槽式MOSFET具有更高的功率密度、更高效率和更高可靠性。具有高功率密度、出色的效率、雙向充電能力以及顯著降低系統(tǒng)成本等特性，因此非常適合用于車載充電器和DC-DC應用。TO和SMD元件還設(shè)有開爾文源極引腳，可優(yōu)化開關(guān)性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：69A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：38 毫歐 @ 27A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.1V @ 8.6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：57 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1738 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：326W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-4-11

封裝/外殼：TO-247-4

應用

車載充電器和PFC

升壓器和直流/直流轉(zhuǎn)換器

輔助逆變器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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