商品名稱:IGBT 晶體管
品牌:ST
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:6000 件
最新的 STGWA40HP65FB2 IGBT 650 V HB2 系列代表了先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)停結(jié)構(gòu)的發(fā)展。由于在低電流值時(shí)具有更好的 VCE(飽和)特性,HB2 系列在傳導(dǎo)方面的性能得到了優(yōu)化,同時(shí)還降低了開(kāi)關(guān)能量。一個(gè)僅用于保護(hù)目的的二極管與 IGBT 反并聯(lián)封裝。因此,該產(chǎn)品專門(mén)設(shè)計(jì)用于最大限度地提高各種快速應(yīng)用的效率。
功能
最高結(jié)溫:TJ = 175 °C
低 VCE(sat) = 1.55 V(典型值) @ IC = 40 A
共封裝保護(hù)二極管
尾電流最小
嚴(yán)格的參數(shù)分布
熱阻低
正 VCE(飽和)溫度系數(shù)
產(chǎn)品屬性
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi): 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
技術(shù): Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風(fēng)格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.55 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 72 A
Pd-功率耗散: 227 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 72 A
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
工廠包裝數(shù)量: 600
單位重量: 6.100 g
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGW80H65DFB
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