商品名稱：NVH4L022N120M3S
數據手冊：
NVH4L022N120M3S.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-4
貨期：全新原裝
庫存數量：2000 件
安森美半導體 NVH4L022N120M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET 具有出色的開關性能，與硅相比可靠性更高。安森美半導體NVH4L022N120M3S具有低導通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。系統優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統尺寸小。
特性
典型值 RDS(on)=22m（VGS=18V時）
超低柵極電荷 (QG(tot)=151nC)
具有低電容的高速開關 (Coss=244pF)
100%經雪崩測試
符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能
該器件不含鹵素，符合RoHS指令（7a豁免），無鉛2LI（二級互連）
應用
汽車板載充電器
汽車直流/直流轉換器（用于EV/HEV）
汽車牽引逆變器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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