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IPB042N10N3G 是一款 100V OptiMOS? 功率 MOSFET，可以為高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解決方案。與下一代出色技術相比，該系列在 R Ds（on）和 FOM（品質因數）方面均降低了30％。

產品規(guī)格：

產品：IPB042N10N3G

技術 ：Si

安裝風格 ：SMD/SMT

封裝 / 箱體 ：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性 ：N-Channel

通道數量 ：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓 ：100 V

Id-連續(xù)漏極電流 ：100 A

Rds On-漏源導通電阻 ：4.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓 ：- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓 ：2 V

Qg-柵極電荷 ：88 nC

工作溫度 ：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散 ：214 W

通道模式 ：Enhancement

配置 ：Single

下降時間 ：14 ns

正向跨導 - 最小值 ：73 S

高度 ：4.4 mm

長度 ：10 mm

產品類型 ：MOSFETs

上升時間 ：59 ns

系列 ：OptiMOS 3

晶體管類型 ：1 N-Channel

典型關閉延遲時間 ：48 ns

典型接通延遲時間 ：27 ns

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