聯(lián)系人:
聯(lián)系郵箱:
聯(lián)系電話:
NTHL040N65S3HF 是一款由(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET ,屬于N溝道類型,采用 SUPERFET III 和 FRFET 技術(shù),具有650V的漏源電壓和65A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為40mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+150℃,適用于各種高功率應(yīng)用場景?。
NTHL040N65S3HF具有以下關(guān)鍵參數(shù):
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):65A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):40 毫歐 @ 32.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):159 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5945 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):446W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
應(yīng)用領(lǐng)域
NTHL040N65S3HF由于其高性能參數(shù),適用于各種需要高電壓和高電流處理的應(yīng)用,如電源管理、電機(jī)控制、逆變器、LED驅(qū)動等?。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在高效能電子設(shè)備中表現(xiàn)出色。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXVF6532M3TG01
NXVF6532M3TG01是一款用于 OBC 的650 V、SiC 功率模塊,由(onsemi)生產(chǎn)。該模塊的導(dǎo)通電阻為32mΩ,具有溫度感應(yīng)功能,熱阻最低,適用于 xEV 中的 DC-DC 和車載充電器。主要特征? 帶 Al2O3 DBC 的 650 V 32 m SiC MOSFET 模塊? 帶 SIP 的 H 橋,用于車載充電器 (OBC…FGB5065G2-F085
FGB5065G2-F085是一款 IGBT 器件,由(onsemi)生產(chǎn),具有以下關(guān)鍵參數(shù):IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):78 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.15V @ 10V,50A功率 - 最大值:300 W開關(guān)能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷…FGB5056G2-F085
FGB5056G2-F085是一款560V N 溝道點(diǎn)火 IGBT,用于 PTC 加熱器和大電流系統(tǒng)應(yīng)用。該器件由(onsemi)生產(chǎn),具有以下規(guī)格:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):560 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 10V,50A功率 - 最…NVTFS015P03P8Z
NVTFS015P03P8Z是一款由(onsemi)推出的汽車級功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊高效的設(shè)計而設(shè)計,具有高熱性能??蓾裥詡?cè)面選項可用于增強(qiáng)光學(xué)檢查。NVTFS015P03P8Z符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車應(yīng)用。技術(shù)規(guī)格FET 類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化…NVMFS2D3P04M8L
NVMFS2D3P04M8L 器件是一款由(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET ,屬于P溝道類型,采用 DFN5 封裝,具有-40 V的漏源電壓和-222 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為2.2mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+175℃,適用于汽車電子。關(guān)鍵規(guī)格FET 類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化…NTH4L040N65S3F
NTH4L040N65S3F是一款由(onsemi)制造的650 V,65 A功率MOSFET,利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻,以及更低門極電荷方面的卓越性能。此先進(jìn)技術(shù)專用于最大程度降低導(dǎo)電損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并且可以承受極端 dv/dt 速率。因此,NTH4L040N65S3F SUPERFET III…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: