商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm × 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實現(xiàn)極低導通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機驅動而優(yōu)化。
BSC059N04LS6 特性
? 極低 RDS(on):典型 4.7 mΩ / 最大 5.9 mΩ(VGS = 10 V, ID = 50 A)
? 高連續(xù)漏極電流:59 A(Tc = 25 °C,受封裝散熱限制)
? 低柵極電荷:Qg(0 V…10 V) 典型 9.4 nC,利于高頻驅動
? 雪崩額定 & 100 % 測試,dv/dt 抗擾度高
? 結溫范圍:-55 °C ~ +175 °C,滿足嚴苛環(huán)境
? 無鉛、RoHS & 無鹵素,符合環(huán)保要求
BSC059N04LS6 規(guī)格參數(shù)
漏-源電壓 :40 V
連續(xù)漏極電流:59 A
導通電阻 RDS(on) max :5.9 mΩ @ 10 V
柵極閾值 VGS(th):1.3 – 2.3 V
總柵極電荷 Qg: 9.4 nC (typ)
輸入電容 Ciss: 830 pF (typ)
封裝:TDSON-8 (5 mm × 6 mm)
耗散功率: 83 W (Tc=25 °C)
BSC059N04LS6 典型應用
? 同步降壓 DC-DC 轉換器 (12 V/24 V 輸入)
? 電機驅動、BLDC 控制器
? 服務器、基站 POL 電源
? 車載 USB 充電器、LED 驅動
? 電池管理、負載開關
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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