歡迎來到深圳市明佳達電子有限公司

美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設計的 1γ（1-gamma）第六代（10 納米級）DRAM 節(jié)點 DDR5 內(nèi)存樣品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 節(jié)點的領先優(yōu)勢，1γ DRAM 節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應用到端側 AI 設備（如 AI PC、智能手機和汽車）等未來計算平臺的創(chuàng)新發(fā)展。美光 1γ DRAM 節(jié)點將首先應用于其 16Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品，并計劃逐步整合至美光內(nèi)存產(chǎn)品組合中，以滿足 AI 產(chǎn)業(yè)對高性能、高能效內(nèi)存解決方案日益增長的需求。該款 16Gb DDR5 產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率可達 9200MT/s，與前代產(chǎn)品相比，速率提升高達 15%1，功耗降低超過 20%2。

1γ DRAM 節(jié)點的重要性

隨著 AI 在數(shù)據(jù)中心和端側設備的普及，用戶對內(nèi)存的需求達到了前所未有的高度。美光邁向 1γ DRAM 節(jié)點，將助力客戶應對亟待解決的核心挑戰(zhàn)：

提升性能 — 基于 1γ 節(jié)點的 DRAM 性能卓越，能夠支持從數(shù)據(jù)中心到端側設備的多種內(nèi)存產(chǎn)品實現(xiàn)計算擴展，滿足未來 AI 工作負載的需求。

降低功耗 — 美光 1γ 節(jié)點采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術，結合設計優(yōu)化，功耗降低了20% 以上，并實現(xiàn)更優(yōu)的散熱。

提升容量密度產(chǎn)出 — 美光 1γ 節(jié)點采用 EUV 光刻技術，通過設計優(yōu)化和制程創(chuàng)新，使單片晶圓的容量密度產(chǎn)出較上一代提升 30% 以上3，從而實現(xiàn)更高效的內(nèi)存供應擴展能力。

美光執(zhí)行副總裁暨首席技術與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示：“美光憑借開發(fā)專有 DRAM 技術的專長，結合對 EUV 光刻技術的戰(zhàn)略運用，打造出基于 1γ 節(jié)點的先進內(nèi)存產(chǎn)品組合，助力推動 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展。1γ DRAM 節(jié)點實現(xiàn)了更高的容量密度產(chǎn)出，彰顯了美光卓越的制造實力和效率，并使我們能夠擴大內(nèi)存供應的規(guī)模，滿足行業(yè)日益增長的需求?！?/span>

美光在經(jīng)過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略的基礎上，成功打造出優(yōu)化的 1γ 節(jié)點。1γ DRAM 節(jié)點的創(chuàng)新得益于 CMOS 技術的進步，包括下一代高 K 金屬柵極技術，它提升了晶體管性能，實現(xiàn)了更高的速率、更優(yōu)化的設計以及更小的特征尺寸，從而帶來功耗降低和性能擴展的雙重優(yōu)勢。此外，通過采用 EUV 光刻技術，1γ 節(jié)點利用極短波長在硅晶圓上刻畫出更精細的特征，從而獲得了業(yè)界領先的容量密度優(yōu)勢。同時，通過在全球各制造基地開發(fā) 1γ 節(jié)點，美光可為行業(yè)提供更先進的技術和更強的供應韌性。

美光執(zhí)行副總裁暨首席商務官 Sumit Sadana 表示：“美光再次引領行業(yè)，推出全球領先的內(nèi)存技術。1γ DRAM 制程憑借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將提供可擴展的內(nèi)存解決方案，涵蓋從數(shù)據(jù)中心到端側設備等各個領域，助力 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，確保我們的客戶能夠應對行業(yè)日新月異的需求。”

推動云端至端側的產(chǎn)品變革

1γ 節(jié)點作為未來產(chǎn)品的基石，將被全面整合到美光的內(nèi)存產(chǎn)品組合中：

數(shù)據(jù)中心 — 基于 1γ 的 DDR5 內(nèi)存解決方案為數(shù)據(jù)中心提供高達 15% 的性能提升，增強能效，并支持服務器性能的持續(xù)擴展，使數(shù)據(jù)中心能夠在未來的機架級功耗和散熱設計中實現(xiàn)優(yōu)化。

端側 AI — 1γ 低功耗 DRAM 解決方案可提供更高的能效及帶寬，提升端側 AI 解決方案的用戶體驗。

AI PC — 1γ DDR5 SODIMMs 可提升性能并降低 20% 的功耗4，從而延長續(xù)航，優(yōu)化筆記本電腦的用戶體驗。

移動設備 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的 AI 體驗，延續(xù)美光在移動設備領域的領先地位。

汽車 — 基于 1γ 的 LPDDR5X 內(nèi)存可提升容量、耐用性和性能，同時傳輸速率高達 9600MT/s。

行業(yè)引語：

AMD 服務器平臺解決方案工程部門企業(yè)副總裁 Amit Goel 表示：“我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節(jié)點方面取得的進展，并已開展對美光 1γ DDR5 內(nèi)存的驗證工作。我們致力于通過下一代 AMD EPYC（霄龍）數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品以及全系列消費級處理器，持續(xù)推動計算生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展，因此與美光的緊密合作至關重要?！?/span>

英特爾內(nèi)存與 IO 技術副總裁兼總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示：“美光 1γ 節(jié)點的進步為英特爾服務器和 AI PC 帶來了顯著的功耗及容量優(yōu)化。我們很高興看到美光在 DRAM 技術方面的持續(xù)創(chuàng)新，并期待基于這些優(yōu)勢進一步提升服務器系統(tǒng)的性能和 PC 的續(xù)航。英特爾正在通過其嚴格的服務器驗證流程，對美光 1γ DDR5 內(nèi)存樣品進行驗證，從而為我們的客戶提供高品質、體驗一流的服務器系統(tǒng)?！?/span>

符合條件的客戶及合作伙伴可以加入美光的 DDR5 技術支持計劃（TEP），提前獲取技術信息、電氣和熱模型，以及關于設計、開發(fā)和推出下一代計算平臺的支持。

1. 數(shù)據(jù)傳輸速率的提升基于對 1γ DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品預期速率的估算。.

2. 功耗降低效果依據(jù) 1γ DDR5 內(nèi)存與 1β DDR5 內(nèi)存的功耗（瓦特）對比計算所得。

3. 單片晶圓容量提升的百分比，依據(jù) 1β 與 1γ 制程下晶圓整體容量密度的對比結果計算得出。

4. 功耗降低效果依據(jù) 1γ DDR5 SODIMM內(nèi)存與 1β DDR5 SODIMM內(nèi)存的功耗（瓦特）對比計算所得。