英飛凌 IPD50P04P4L-11 P 溝道 OptiMOS?-P2 汽車 MOSFET 晶體管深圳市明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，專業(yè)供應英飛凌 IPD50P04P4L-11 P 溝道 OptiMOS?-P2 汽車 MOSFET 晶體管。這些高性能 MOSFET 專為汽車電子應用而設計，具有高效率、低損耗和高可…
英飛凌 IPD50P04P4L-11 P 溝道 OptiMOS?-P2 汽車 MOSFET 晶體管
深圳市明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，專業(yè)供應英飛凌 IPD50P04P4L-11 P 溝道 OptiMOS?-P2 汽車 MOSFET 晶體管。這些高性能 MOSFET 專為汽車電子應用而設計，具有高效率、低損耗和高可靠性的特點，是電動汽車電源管理、電池管理系統(tǒng) (BMS) 和車載充電器等應用的理想之選。
IPD50P04P4L-11 產品概述
IPD50P04P4L-11 是英飛凌 OptiMOS?-P2 系列中的 P 溝道功率 MOSFET，采用先進的溝槽技術制造，具有以下核心特性：
電壓和電流參數(shù)： 40V 耐壓、50A 持續(xù)漏極電流
封裝： PG-TO252-3 (DPAK) 封裝，適合高密度 PCB 設計
導通電阻： 極低的 RDS（導通）特性，大大降低了導通損耗。
開關性能： 優(yōu)化柵極電荷 (Qg) 和輸出電容 (Coss)，實現(xiàn)高效開關
溫度范圍： 寬工作溫度范圍，適合汽車級應用
IPD50P04P4L-11 的產品優(yōu)勢
1. 卓越的電氣性能
IPD50P04P4L-11 采用英飛凌先進的 OptiMOS?-P2 技術，具有以下優(yōu)點
更低的導通電阻 (RDS(on))，可降低功率損耗
開關頻率更高，可提高系統(tǒng)效率
優(yōu)化了體二極管特性，提高了反向恢復性能
增強熱性能，提高功率密度
2. 汽車級可靠性
作為汽車級 MOSFET，IPD50P04P4L-11 符合嚴格的汽車電子標準：
通過 AEC-Q101 認證，確保在惡劣環(huán)境中的可靠性
出色的抗振性和抗沖擊性
耐高溫能力，適用于發(fā)動機艙和其他高溫環(huán)境
長期供貨保證，滿足汽車產品生命周期要求
3. 應用廣泛
IPD50P04P4L-11 適用于各種汽車電子系統(tǒng)：
電動/混合動力汽車：車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉換器、電池管理系統(tǒng) (BMS)。
傳統(tǒng)汽車電子：電動助力轉向（EPS）、燃油噴射系統(tǒng)、水泵/燃油泵控制
車身電子設備：智能門鎖、座椅調節(jié)、車窗控制
信息娛樂系統(tǒng)：電源管理、音頻放大器
IPD50P04P4L-11 的技術參數(shù)
晶體管極性：P 溝道
通道數(shù)：1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：40 V
Id - 持續(xù)漏極電流：50 A
Rds On - 漏極-源極電阻：17.2 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓：- 16 V，+ 5 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：1.2 V
Qg - 柵極電荷：45 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度：+ 175 C
Pd - 功率耗散：58 W
下降時間：39 ns
高度：2.3 毫米
長度：6.5 毫米
產品類型：MOSFET
上升時間：9 ns
典型關斷延遲時間：46 ns
典型導通延遲時間：12 ns
寬度：6.22 毫米
單位重量：330 毫克
IPD50P04P4L-11 的應用解決方案
1. 汽車電源管理系統(tǒng)
IPD50P04P4L-11 在汽車電源管理系統(tǒng)中的典型應用包括
負載開關：控制大電流負載的開/關
反極性保護：防止電池反接損壞電路
電源路徑管理： 多個電源系統(tǒng)中的無縫切換
預充電電路：限制電容器充電電流并保護接觸器
2. 電機驅動應用
IPD50P04P4L-11 具有高電流能力和低導通電阻，非常適合用于以下應用
小型直流電機驅動器
步進電機控制
風扇/泵電機驅動器
電動座椅/車窗驅動器
3. H 橋拓撲結構
在需要雙向控制的 H 橋電路中，IPD50P04P4L-11 可與 N 溝道 MOSFET 配合使用，實現(xiàn)以下功能
直流電機正反轉控制
電磁閥驅動
其他需要雙向電流的應用
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