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安森美 NTMFS4925NT1G 30V N溝道功率MOSFET晶體管

深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件分銷商，提供高性能的 NTMFS4925NT1G 30V N 溝道功率 MOSFET 晶體管。這款 NTMFS4925NT1G MOSFET 晶體管具有出色的效率和功率處理能力，被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率放大等領(lǐng)域。

NTMFS4925NT1G 產(chǎn)品概述

NTMFS4925NT1G 是一款 30V N 溝道功率 MOSFET，采用先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)設(shè)計(jì)，專為高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。

NTMFS4925NT1G 的主要技術(shù)參數(shù)包括

額定電壓 30V 漏極至源極電壓 (VDSS)，適用于低壓高效應(yīng)用場(chǎng)合

導(dǎo)通電阻： 極低的 RDS(on)，典型值僅為 4.9mΩ@VGS=10V，顯著降低導(dǎo)通電阻損耗

電流能力： 連續(xù)漏極電流 (ID) 高達(dá) 60A，脈沖電流高達(dá) 240A

柵極電荷： 48nC 總柵極電荷 (Qg)，適合高頻開關(guān)應(yīng)用

封裝 DFN5（5x6 毫米）表面貼裝封裝可優(yōu)化散熱性能并節(jié)省 PCB 空間

工作溫度 -55°C 至 +175°C 的寬溫度范圍，適用于惡劣環(huán)境

與同類產(chǎn)品相比，NTMFS4925NT1G 在功率密度和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。其低導(dǎo)通電阻大大降低了傳導(dǎo)損耗，而優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)特性降低了開關(guān)損耗，從而提高了整體系統(tǒng)效率。

NTMFS4925NT1G 的特點(diǎn)

低 RDS(導(dǎo)通)，將傳導(dǎo)損耗降至最低

低電容，將驅(qū)動(dòng)器損耗降至最低

優(yōu)化柵極電荷，將開關(guān)損耗降至最低

針對(duì) 5 V、12 V 柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化

NTMFS4925NT1G 器件無(wú)鉛、無(wú)鹵素/無(wú)溴化阻燃劑，符合 RoHSC 標(biāo)準(zhǔn)

NTMFS4925NT1G 應(yīng)用領(lǐng)域

NTMFS4925NT1G 30V N 溝道功率 MOSFET 憑借其出色的性能參數(shù)，在多個(gè)電子應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。

電源管理系統(tǒng)：

用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電壓調(diào)節(jié)模塊 (VRM)

服務(wù)器、工作站和高端計(jì)算設(shè)備的電源設(shè)計(jì)

提高電源轉(zhuǎn)換效率的高效同步整流應(yīng)用

為各種集成電路提供精確電壓的負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制：

用于無(wú)人機(jī)和機(jī)器人的無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的伺服電機(jī)控制

電動(dòng)工具的高效電源開關(guān)

汽車輔助系統(tǒng)（如電動(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)）的驅(qū)動(dòng)電路

消費(fèi)電子應(yīng)用：

筆記本電腦和平板電腦的電源管理

大電流 LED 驅(qū)動(dòng)器和調(diào)光控制

便攜式設(shè)備的高效電源開關(guān)

音頻功率放大器的輸出級(jí)設(shè)計(jì)

其他專業(yè)領(lǐng)域

電池管理系統(tǒng) (BMS) 的充放電控制

太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的功率優(yōu)化器

電信基礎(chǔ)設(shè)施的配電

工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的電源開關(guān)