最新資訊LTC4451AV 40V 7A理想二極管是一種高性能肖特基二極管的替代品，使用集成的n通道功率MOSFET。基本信息型號(hào)：LTC4451AV類型：N+1 ORing 控制器FET 類型：N 通道比率 - 輸入:輸出：1：1內(nèi)部開關(guān)：無延遲時(shí)間 - 開啟：300 ns延遲時(shí)間 - 關(guān)閉：1 s電流 - 輸出（最大值）：7A電…
LTC4451AV 40V 7A理想二極管是一種高性能肖特基二極管的替代品，使用集成的n通道功率MOSFET。
基本信息
型號(hào)：LTC4451AV
類型：N+1 ORing 控制器
FET 類型：N 通道
比率 - 輸入:輸出：1：1
內(nèi)部開關(guān)：無
延遲時(shí)間 - 開啟：300 ns
延遲時(shí)間 - 關(guān)閉：1 μs
電流 - 輸出（最大值）：7A
電流 - 供電：20 μA
電壓 - 供電：0V ~ 40V
應(yīng)用：備用電池，工業(yè)級(jí)
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：16-LQFN
說明
LTC4451AV 40V 7A理想二極管使用集成N溝道功率MOSFET替代高性能肖特基二極管。該器件可輕松將OR電源結(jié)合在一起，以提高系統(tǒng)可靠性并防止反向?qū)ā?/span>
LTC4451AV可在15mV時(shí)調(diào)節(jié)正向電壓，從而與肖特基二極管相比，最大限度地降低功耗。在diode-OR應(yīng)用中，調(diào)節(jié)可確保平穩(wěn)的電流傳輸而不會(huì)產(chǎn)生振蕩。當(dāng)功率MOSFET完全增強(qiáng)時(shí)，晶體管的RDS(ON)為21mΩ。該功率MOSFET具有高達(dá)7A額定正向?qū)娏?，同時(shí)耗散1.34W功率。具有快速瞬態(tài)響應(yīng)的高性能柵極驅(qū)動(dòng)器可最大限度地降低正向功耗和反向電流。VCC輸入允許在低電壓應(yīng)用中工作時(shí)VIN低至接地。LTC4451AV采用小型16引腳2mm × 3mm LQFN封裝。
應(yīng)用場景
LTC4451AV廣泛應(yīng)用于各種需要高性能肖特基二極管替代的場合，包括：
肖特基二極管替代器件
工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)電子便攜式設(shè)備
電池和壁式適配器二極管“或”操作
此外，LTC4451AV還具有以下特性：
通過替換無外部元件的功率肖特基二極管來降低功耗
內(nèi)部 7A、21mΩ N 通道 MOSFET
15mV 穩(wěn)壓正向電壓
20μA 工作電流，0.8μA 關(guān)斷電流
具有 VCC > 2.75V 的 0V 至 40V 寬輸入范圍
快速開啟可最大限度地減少電壓降
快速反向恢復(fù)時(shí)間可將反向瞬態(tài)電流最小化
二極管“或“應(yīng)用中的平滑切換
16 引腳、2mm × 3mm LQFN 封裝
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官網(wǎng)：inflateandcreate.com
時(shí)間：2025-06-05
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