深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) 英飛凌 BSC500N20NS3G 200V OptiMOS? 3 N溝道功率MOSFET晶體管深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為電子元器件行業(yè)的領(lǐng)先供應(yīng)商,長期現(xiàn)貨供應(yīng)英飛凌高性能BSC500N20NS3G 200V OptiMOS? 3 N溝道功率MOSFET晶體管?!井a(chǎn)品概述與核心特性】BSC500…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) 英飛凌 BSC500N20NS3G 200V OptiMOS? 3 N溝道功率MOSFET晶體管
深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為電子元器件行業(yè)的領(lǐng)先供應(yīng)商,長期現(xiàn)貨供應(yīng)英飛凌高性能BSC500N20NS3G 200V OptiMOS? 3 N溝道功率MOSFET晶體管。
【產(chǎn)品概述與核心特性】
BSC500N20NS3G 200V OptiMOS? MOSFET 晶體管是性能領(lǐng)先的基準(zhǔn)技術(shù),非常適合用于 48V 系統(tǒng)的同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、不間斷電源(UPS)以及直流電機(jī)驅(qū)動器的逆變器。
核心電氣參數(shù)方面,BSC500N20NS3G具有200V的漏源擊穿電壓(Vdss)和24A的連續(xù)漏極電流(Id)能力,在功率MOSFET中屬于中高電壓等級產(chǎn)品。其導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為42mΩ(典型值),這一低導(dǎo)通特性使其在傳導(dǎo)損耗方面表現(xiàn)優(yōu)異。器件支持±20V的柵源電壓(Vgs),柵極閾值電壓(Vgs(th))為2V,適合多種驅(qū)動電路設(shè)計(jì)。開關(guān)性能上,該MOSFET具有20nC的柵極電荷(Qg)和極低的柵漏電荷(Qgd),結(jié)合僅7ns的下降時(shí)間和5ns的上升時(shí)間,確保了高效的開關(guān)性能。
從熱性能角度看,BSC500N20NS3G的功率耗散(Pd)可達(dá)96W,工作溫度范圍寬廣(-55°C至+150°C),適合各種環(huán)境條件下的應(yīng)用。其采用的TDSON-8封裝(也稱為PG-TDSON-8)尺寸緊湊(5.9mm×5.15mm×1.27mm),不僅節(jié)省PCB空間,還優(yōu)化了散熱性能。這種封裝形式支持表面貼裝(SMD/SMT),便于自動化生產(chǎn),同時(shí)提供Cut Tape、MouseReel和Reel等多種包裝選項(xiàng),滿足不同規(guī)模的生產(chǎn)需求。
英飛凌OptiMOS? 3技術(shù)的核心優(yōu)勢在BSC500N20NS3G上得到充分體現(xiàn):
業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on):通過優(yōu)化溝槽柵結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻
最低Qg和Qgd:減少驅(qū)動損耗,提高開關(guān)頻率潛力
全球最優(yōu)的FOM(優(yōu)值系數(shù)):綜合考量導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的性能指標(biāo)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素:滿足環(huán)保要求,MSL 1級濕度敏感等級
【規(guī)格】
晶體管極性:N溝道
溝道數(shù):1溝道
Vds - 漏源擊穿電壓:200 V
Id - 持續(xù)漏極電流:24 A
Rds On - 漏源電阻:42 mΩ
Vgs - 柵源電壓:-20 V,+20 V
Vgs th - 柵源閾值電壓:2 V
Qg - 柵極電荷:20 nC
最低工作溫度:-55°C
最高工作溫度:+150°C
Pd - 功率耗散:96 W
通道模式:增強(qiáng)型
配置:單通道
下降時(shí)間:7 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:19 S
高度:1.27 mm
長度:5.9 mm
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:5 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間:28 ns
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:14 ns
寬度:5.15 mm
單位重量:120.300 mg
【技術(shù)優(yōu)勢與性能分析】
低導(dǎo)通電阻與高效率是BSC500N20NS3G最突出的技術(shù)特點(diǎn)。該器件在25°C環(huán)境溫度下的典型RDS(on)僅為42mΩ,這一數(shù)值在200V電壓等級的MOSFET中處于領(lǐng)先水平。低導(dǎo)通電阻直接轉(zhuǎn)化為更低的傳導(dǎo)損耗,特別是在高電流應(yīng)用中效果顯著。例如,在24A額定電流下,傳導(dǎo)損耗僅為P=I2×R=242×0.042≈24.2W,比同類競爭產(chǎn)品降低15-20%。這種高效率特性使得BSC500N20NS3G特別適合連續(xù)工作模式的應(yīng)用場景,如電機(jī)驅(qū)動和電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
開關(guān)性能方面,BSC500N20NS3G展現(xiàn)出卓越的動態(tài)特性。其總柵極電荷(Qg)為20nC,柵漏電荷(Qgd)極低,這使得器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)過渡——上升時(shí)間僅5ns,下降時(shí)間7ns。如此快速的開關(guān)速度顯著降低了開關(guān)損耗,尤其在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢明顯。典型開關(guān)延遲時(shí)間方面,導(dǎo)通延遲(td(on))為14ns,關(guān)斷延遲(td(off))為28ns,這些參數(shù)共同確保了器件在高達(dá)數(shù)百kHz的開關(guān)頻率下仍能保持高效工作。對于設(shè)計(jì)同步整流或高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器的工程師,這些特性意味著可以使用更小的磁性元件和濾波電容,從而降低系統(tǒng)體積和成本。
熱管理能力是BSC500N20NS3G的另一項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢。器件采用優(yōu)化的TDSON-8封裝,具有出色的熱傳導(dǎo)路徑。封裝底部的大面積漏極焊盤可直接焊接至PCB,利用電路板銅層作為散熱器,實(shí)現(xiàn)高效的熱量散發(fā)。在實(shí)際應(yīng)用中,這種封裝設(shè)計(jì)使得結(jié)到環(huán)境的熱阻(RθJA)顯著降低,允許器件在更高環(huán)境溫度下工作或承載更大電流。結(jié)合-55°C至+150°C的寬廣工作溫度范圍,BSC500N20NS3G非常適合嚴(yán)苛環(huán)境應(yīng)用,如工業(yè)自動化設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)。
【典型應(yīng)用場景】
BSC500N20NS3G憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,在眾多電力電子領(lǐng)域找到了廣泛應(yīng)用。從工業(yè)電源到汽車系統(tǒng),從通信設(shè)備到消費(fèi)電子產(chǎn)品,這款200V OptiMOS? 3功率MOSFET都能提供高效的解決方案。
同步整流應(yīng)用是BSC500N20NS3G的主要用武之地。在現(xiàn)代開關(guān)電源(SMPS)中,特別是AC-DC電源適配器和服務(wù)器電源,同步整流技術(shù)已取代傳統(tǒng)的肖特基二極管整流,顯著提高效率。BSC500N20NS3G的低導(dǎo)通電阻(42mΩ)和快速體二極管特性使其成為次級側(cè)同步整流的理想選擇。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,該MOSFET可與控制IC如UCC24612配合使用,在12V/20A輸出的電源中實(shí)現(xiàn)超過92%的整機(jī)效率,比二極管整流方案提升3-5個百分點(diǎn)。對于高密度電源設(shè)計(jì),多個BSC500N20NS3G器件可并聯(lián)使用,以滿足大電流需求,同時(shí)保持低溫升。
48V-110V系統(tǒng)的電機(jī)控制是另一重要應(yīng)用領(lǐng)域。隨著工業(yè)自動化的發(fā)展,48V BLDC電機(jī)在機(jī)器人、AGV和電動工具中的應(yīng)用日益廣泛。BSC500N20NS3G的200V耐壓為48V系統(tǒng)提供了充足的電壓裕量,其快速開關(guān)特性支持高PWM頻率(通常50-100kHz),從而實(shí)現(xiàn)更平滑的電機(jī)控制和更低的轉(zhuǎn)矩脈動。在一個典型的3相無刷電機(jī)驅(qū)動器中,六個BSC500N20NS3G組成全橋逆變器,配合柵極驅(qū)動器如IR2106S,可驅(qū)動高達(dá)2kW的電機(jī)負(fù)載。該MOSFET的低Qg特性還允許使用簡單的自舉電路供電,簡化了隔離電源設(shè)計(jì)。
在隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域,BSC500N20NS3G表現(xiàn)出色。這類轉(zhuǎn)換器廣泛用于電信設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)和醫(yī)療設(shè)備中,提供輸入輸出間的電氣隔離。在LLC諧振轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?,BSC500N20NS3G的快速體二極管和低輸出電容(Coss)特性顯著降低了開關(guān)損耗,使轉(zhuǎn)換器能夠在200-400kHz的高頻下工作,大幅減小變壓器和濾波元件的體積。對于100-300W的中功率隔離DC-DC模塊,使用該MOSFET可實(shí)現(xiàn)超過94%的峰值效率,滿足80Plus鈦金標(biāo)準(zhǔn)的要求。
不間斷電源(UPS)系統(tǒng)也從BSC500N20NS3G的高性能中獲益。在線式UPS的逆變器級需要高效可靠的功率開關(guān),以確保電網(wǎng)斷電時(shí)向關(guān)鍵負(fù)載提供純凈的交流電源。BSC500N20NS3G用于1-3kVA UPS的逆變橋臂,其200V耐壓足夠應(yīng)對170Vpk的交流輸出,而低導(dǎo)通電阻則減少了電池放電時(shí)的能量損失,延長備用時(shí)間。與傳統(tǒng)的IGBT方案相比,采用BSC500N20NS3G的UPS逆變器可提高2-3%的效率,同時(shí)降低散熱需求。
其他應(yīng)用包括:
HID燈電子鎮(zhèn)流器:利用快速開關(guān)特性實(shí)現(xiàn)高頻率驅(qū)動,消除可見閃爍
D類音頻放大器:支持高PWM頻率,降低THD,提高音質(zhì)
LED照明電源:用于恒流驅(qū)動電路,提高能效和可靠性
電動自行車控制器:48V系統(tǒng)中提供高效功率轉(zhuǎn)換,延長電池續(xù)航
時(shí)間:2025-07-14
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