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納芯微推出車規(guī)級(jí)帶米勒鉗位功能的隔離半橋驅(qū)動(dòng) NSI6602MxEx 系列

納芯微推出車規(guī)級(jí)帶米勒鉗位功能的隔離半橋驅(qū)動(dòng) NSI6602MxEx 系列

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納芯微電子正式發(fā)布 NSI6602MxEx 系列車規(guī)級(jí)隔離半橋驅(qū)動(dòng)芯片,該系列在經(jīng)典產(chǎn)品 NSI6602 的基礎(chǔ)上,創(chuàng)新性地集成了 5A 米勒鉗位功能,并具備高隔離耐壓、低延時(shí)、可編程死區(qū)時(shí)間等特性,專為 SiC(碳化硅)和 IGBT 等功率器件設(shè)計(jì),適用于新能源汽車 OBC(車載充電機(jī))、…

納芯微電子正式發(fā)布 NSI6602MxEx 系列車規(guī)級(jí)隔離半橋驅(qū)動(dòng)芯片,該系列在經(jīng)典產(chǎn)品 NSI6602 的基礎(chǔ)上,創(chuàng)新性地集成了 5A 米勒鉗位功能,并具備高隔離耐壓、低延時(shí)、可編程死區(qū)時(shí)間等特性,專為 SiC(碳化硅)和 IGBT 等功率器件設(shè)計(jì),適用于新能源汽車 OBC(車載充電機(jī))、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、主動(dòng)懸架系統(tǒng) 等高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景。

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NSI6602MxEx與NSI6602功能框圖對(duì)比


5A米勒鉗位功能助力半橋電路安全可靠

在實(shí)際應(yīng)用中,OBC/DCDC、工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等橋式電路的功率器件容易發(fā)生串?dāng)_行為,尤其伴隨著第三代功率器件如SiC和GaN的應(yīng)用,門極閾值電壓以及最大耐受負(fù)壓雙雙減小,使得抑制寄生導(dǎo)通的電壓裕量在不斷減小。在使用傳統(tǒng)半橋驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),為了避免因米勒效應(yīng)引發(fā)的橋臂直通,通常需要調(diào)整驅(qū)動(dòng)電路。


然而,在很多情況下,即使精心調(diào)整了驅(qū)動(dòng)參數(shù)、正負(fù)供電電壓,以及優(yōu)化PCB柵極寄生參數(shù),也難以同時(shí)將正負(fù)串?dāng)_控制在安全余量以內(nèi)。這不僅限制了碳化硅等器件性能的發(fā)揮,也可能帶來(lái)潛在的安全隱患。

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開(kāi)關(guān)過(guò)程中米勒效應(yīng)原理


納芯微推出NSI6602MxEx系列,為兩路半橋驅(qū)動(dòng)電路集成5A能力的米勒鉗位功能,能夠?yàn)槊桌针娏魈峁┳钚∽杩贯尫怕窂剑行б种拼當(dāng)_電壓的抬升。NSI6602MxEx在NSI6602基礎(chǔ)上全副武裝,為SiC等器件的安全應(yīng)用保駕護(hù)航。


NSI6602MxEx米勒鉗位方案應(yīng)用分享

在使用SiC功率器件時(shí),由于其高dv/dt特性,門極常常遭遇正負(fù)串?dāng)_電壓(Vswing)幅度超出門極開(kāi)啟閾值(Vgsth)及負(fù)向耐壓極限(Vgs_min)的情況。這種串?dāng)_容易導(dǎo)致誤導(dǎo)通或器件損傷,是高性能驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的一大挑戰(zhàn)。


±10A輸出電流助力外圍電路精簡(jiǎn)設(shè)計(jì)

NSI6602MxEx提供超強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,最大可輸出10A的拉灌電流,支持軌到軌輸出。無(wú)論是直接驅(qū)動(dòng)更大柵極電荷(Qg)的功率管,還是在多管并聯(lián)的應(yīng)用中,與傳統(tǒng)方案相比,NSI6602MxEx無(wú)需額外添加緩沖器,即可實(shí)現(xiàn)高效驅(qū)動(dòng),有效簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì)。此外,32V最大工作電壓,極限35V的最大耐壓,可以應(yīng)對(duì)更高的EOS沖擊,搭配精簡(jiǎn)的驅(qū)動(dòng)外圍設(shè)計(jì),大幅提高了整個(gè)電路系統(tǒng)的可靠性。


可編程死區(qū)及多檔欠壓閾值助力設(shè)計(jì)靈活配置

NSI6602MxEx支持通過(guò)DT引腳進(jìn)行死區(qū)配置,通過(guò)調(diào)整下拉電阻可以靈活配置不同死區(qū)時(shí)間,此外還可以將DT引腳直接接到原邊VCC用來(lái)兩路驅(qū)動(dòng)并行輸出;搭配DIS/EN兩種可選的使能邏輯,為終端應(yīng)用提供豐富的控制邏輯;另外,副邊電源欠壓UVLO設(shè)有8V,12V,17V三種選擇,適配于IGBT和SiC應(yīng)用中多種電源設(shè)計(jì)場(chǎng)景的欠壓保護(hù)。


NSI6602MxEx產(chǎn)品特性:

5700VRMS隔離耐壓,可驅(qū)動(dòng)高壓SiC和IGBT

高CMTI:150 kV/μs

輸入側(cè)電源電壓:3V ~ 18V

驅(qū)動(dòng)側(cè)電源電壓:高達(dá) 32V

軌到軌輸出

峰值拉灌電流:±10A

峰值米勒鉗位電流:5A

驅(qū)動(dòng)電源欠壓:8V/12V/17V三檔可選

可編程死區(qū)時(shí)間

可選的正反邏輯使能配置

典型傳播延時(shí):80ns

工作環(huán)境溫度:-40℃ ~ 125℃

符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型:SOW18,爬電距離 >8mm

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典型應(yīng)用電路


產(chǎn)品選型與封裝

NSI6602MxEx系列提供六種型號(hào)可選,具備豐富的使能邏輯配置和驅(qū)動(dòng)電源欠壓值規(guī)格,靈活適配多種應(yīng)用場(chǎng)景。

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