深圳市明佳達電子有限公司現(xiàn)長期穩(wěn)定供應CY14V101QS-BK108XQ高性能nvSRAM存儲器芯片。產(chǎn)品描述：Cypress CY14V101QS-BK108XQ是一款1-Mbit（128K8）的Quad SPI nvSRAM芯片，具備高可靠性、快速讀寫和非易失性存儲特性，廣泛應用于汽車電子、工業(yè)控制、通信設(shè)備等高要求領(lǐng)域…
深圳市明佳達電子有限公司現(xiàn)長期穩(wěn)定供應CY14V101QS-BK108XQ高性能nvSRAM存儲器芯片。
產(chǎn)品描述：
Cypress CY14V101QS-BK108XQ是一款1-Mbit（128K×8）的Quad SPI nvSRAM芯片，具備高可靠性、快速讀寫和非易失性存儲特性，廣泛應用于汽車電子、工業(yè)控制、通信設(shè)備等高要求領(lǐng)域。
產(chǎn)品特性：
高密度存儲：1-Mbit（128K×8）存儲容量，滿足多種復雜應用場景。
高速接口：支持高達108MHz的時鐘頻率，讀寫速度可達54Mbps。
多種接口模式：支持單線SPI、雙線DPI和四線QPI模式，靈活適配不同系統(tǒng)。
高可靠性：支持無限次讀寫和回憶（RECALL）操作，非易失性存儲單元（SONOS FLASH Quantum Trap）可進行高達100萬次存儲（STORE）操作。
數(shù)據(jù)保護：具備硬件寫保護（通過WP引腳）和軟件寫保護（通過寫禁用指令），支持塊保護功能。
低功耗模式：睡眠模式下平均電流為280μA（85°C），休眠模式下平均電流為8μA（85°C）。
寬工作溫度范圍：擴展工業(yè)級溫度范圍為-40°C至105°C，適應各種惡劣環(huán)境。
封裝類型：24引腳無鉛球柵陣列（FBGA），節(jié)省空間。
技術(shù)規(guī)格：
存儲器類型：非易失性nvSRAM
存儲容量：1Mbit（128K×8）
接口：Quad SPI
時鐘頻率：最高108MHz
工作電壓：
核心電壓VCC：2.7V至3.6V
I/O電壓VCCQ：1.71V至2.0V
工作溫度：
擴展工業(yè)級：-40°C至105°C
工業(yè)級：-40°C至85°C
封裝：24-FBGA
應用場景
CY14V101QS-BK108XQ適用于需要高可靠性、快速讀寫和非易失性存儲的應用，包括但不限于：
工業(yè)控制：電機控制、傳感器數(shù)據(jù)采集。
消費電子：家用電器、電池管理。
汽車電子：車身控制、儀表盤和顯示。
物聯(lián)網(wǎng)（IoT）：智能家居、無線傳感節(jié)點。
醫(yī)療電子：便攜式醫(yī)療設(shè)備、健康追蹤設(shè)備。
聯(lián)系方式
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