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產(chǎn)品說(shuō)明:150V,OptiMOS? N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-TDSON-8
封裝:PG-TDSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:1200 V 碳化硅肖特基二極管,采用 TO-247-3 封裝
封裝:PG-TO247-3產(chǎn)品說(shuō)明:汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
封裝:PowerFLAT? 5x6產(chǎn)品說(shuō)明:汽車級(jí)600 V、30 A超快軟恢復(fù)二極管
封裝:D2PAK產(chǎn)品說(shuō)明:N溝道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封裝
封裝:TO-247產(chǎn)品說(shuō)明:功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 3 相 600 V 20 A 27-PowerDIP 模塊(1.205",30.60mm)
封裝:DIP產(chǎn)品說(shuō)明:橋式整流器 Three Phase 標(biāo)準(zhǔn) 1.6 kV QC 端子 FO-B
封裝:FO-B-5產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,2200 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的60 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-PB60AT-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的34 mm晶閘管/二極管模塊,2200 V
封裝:BG-PB34-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用壓接式技術(shù)的20 mm晶閘管/二極管模塊,1400 V
封裝:BG-PB20-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用焊接技術(shù)的20 mm晶閘管/二極管模塊,1600 V
封裝:BG-SB20-1產(chǎn)品說(shuō)明:采用焊接技術(shù)的50 mm晶閘管/二極管模塊,1800 V
封裝:BG-PB50SB-1電話咨詢:86-755-83294757
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