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RBA500N10EHWT-2UA01 N 溝道 MOSFET 場效應晶體管專為大電流開關應用而設計。REXFET-1 100V 技術采用分離柵極結構，可提供低導通電阻。 它減少了電容和柵極電荷，以實現(xiàn)更高效的開關。 得益于該技術，MOSFET可實現(xiàn)高開關速度和低功耗，從而提高能源效率。 此外，RBA500N10EHWT-2UA01還增強了耐用性和可靠性，使其適用于汽車應用，如電源管理系統(tǒng)、電機控制和 DC-DC 轉換器。

核心特征

標準電平柵極驅動電壓：VGS（th） = 2.0V ~ 4.0V

超低導通電阻：RDS（on） = 0.65mΩ （最大值）

低輸入電容

專為汽車應用而設計，符合 AEC-Q101（HTRB、HTGB）標準

核心規(guī)格

耐壓值?：100V?

最大電流?：500A

導通電阻?：0.65mΩ（最大值）

柵極電壓?：2.0~4.0V（標準驅動電壓）

RBA500N10EHWT-2UA01功率器件通過優(yōu)化開關特性與低導通損耗，可降低整體系統(tǒng)成本并提升能效，適用于高壓大電流場景。 ?

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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