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MOSFET晶體管 BSC059N04LS6 OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET

MOSFET晶體管 BSC059N04LS6 OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET

來源:本站時間:2025-07-28瀏覽數:

明佳達電子作為專業(yè)的電子元器件供應商,現貨供應高性能的 MOSFET 晶體管——BSC059N04LS6。這款晶體管屬于 Infineon 的 OptiMOS? 6 系列,是一款 40V 功率 MOSFET,廣泛應用于多種高效能、低熱設計的系統(tǒng)中。BSC059N04LS6 產品描述BSC059N04LS6 是一款 N 溝道功率 MOSF…

明佳達電子作為專業(yè)的電子元器件供應商,現貨供應高性能的 MOSFET 晶體管——BSC059N04LS6。這款晶體管屬于 Infineon 的 OptiMOS? 6 系列,是一款 40V 功率 MOSFET,廣泛應用于多種高效能、低熱設計的系統(tǒng)中。

BSC059N04LS6.jpg

BSC059N04LS6 產品描述

BSC059N04LS6 是一款 N 溝道功率 MOSFET,采用 TDSON-8-EP 封裝,專為滿足高效率、低導通電阻和高開關性能的需求而設計。其耐壓為 40V,連續(xù)漏極電流可達 59A,導通電阻低至 5.9mΩ(@10V, 50A),適用于同步整流、ORing 電路及多通道 LED 驅動等領域。


BSC059N04LS6 功能特性

低導通電阻:相比同類產品,BSC059N04LS6 的導通電阻降低 30%,圖騰柱損耗減少 29%,開關損耗降低 46%,適用于高效能、低熱設計的系統(tǒng)。

高開關性能:柵極電荷量僅為 9.4nC(@10V),輸入電容為 830pF(@20V),反向傳輸電容為 21pF(@20V),確??焖匍_關。

寬工作溫度范圍:工作溫度范圍為 -55℃ 至 +175℃,適用于各種極端環(huán)境。

優(yōu)化的抗誤導通設計:標準電平功率 MOSFET 針對不必要的感應誤導通進行了優(yōu)化,降低了功率損耗和故障風險。


規(guī)格參數

型號:BSC059N04LS6

品牌:Infineon

封裝:TDSON-8

耐壓:40V

連續(xù)漏極電流:59A

導通電阻:5.9mΩ(@10V, 50A)

耗散功率:38W

閾值電壓:2.3V

柵極電荷量:9.4nC(@10V)

輸入電容:830pF(@20V)

反向傳輸電容:21pF(@20V)

工作溫度范圍: -55℃ 至 +175℃


應用場景

BSC059N04LS6 廣泛應用于以下領域:

電源管理:服務器、臺式電腦、無線充電器、快充設備中的同步整流。

LED 驅動:多通道 LED 照明系統(tǒng)。

電路保護:ORing 電路(過載保護)及防反接電路設計。


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